三安半导体申请一种发光二极管、半导体结构及显示装置专利，提高转移良率_资源案例

三安半导体申请一种发光二极管、半导体结构及显示装置专利，提高转移良率

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2025-07-10 09:38:21

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金融界2025年7月10日消息，国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管、半导体结构及显示装置”的专利，公开号CN120282600A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明提供一种发光二极管、半导体结构及显示装置。发光二极管包括半导体发光叠层、金属叠层结构及导电层。金属叠层结构包括磁性金属层。半导体发光叠层的第二半导体层远离有源层的一侧为所半导体发光叠层的正面，第一半导体层远离有源层的一侧为半导体发光叠层的背面，导电层位于半导体发光叠层背面并且由U型层与第一半导体层相互绝缘。导电层使得发光二极管的底部能够导电，由此使得电场能够同时作用于发光二极管的背面，而磁性金属使得发光二极管的正面受磁力和电场的交互作用，由此使得发光二极管正面和背面均有受力，防止在进行磁力转移时发光二极管发生翻转，提高转移良率。

天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目56次，专利信息603条，此外企业还拥有行政许可341个。

来源：金融界

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