华虹半导体申请富陷阱层的形成方法及版图结构专利，极大程度地减轻射频器件区域有源区表面的晶格损伤
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2025-07-13 00:10:22
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金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“富陷阱层的形成方法及富陷阱层的离子注入版图结构”的专利，公开号CN120299990A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请提供一种富陷阱层的形成方法及富陷阱层的离子注入版图结构，其中在富陷阱层的形成方法中，通过用于形成富陷阱层的离子注入版图结构，在光刻胶层上定义离子注入窗口图形，其中，离子注入窗口图形为岛状图形、沟槽图形中的一种或多种组合，然后以图案化的光刻胶层为掩模，对衬底进行倾斜离子注入，以得到富陷阱层。本申请通过以形成有离子注入窗口图形的光刻胶层为掩模，对衬底进行倾斜离子注入，可以极大程度地减轻射频器件区域有源区表面的晶格损伤，有源区表面保留一定数量的未损伤的单晶硅岛，可以为晶格修复提供附着点，使得后续热退火工艺中晶格修复更容易，使富陷阱层表面的有源区器件保留缺陷更少，提升了器件的可靠性和良率。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2926次，专利信息1710条，此外企业还拥有行政许可117个。
来源：金融界
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