重庆芯联申请应变硅层和半导体结构的形成方法专利，避免刻蚀负载效应
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2025-05-17 10:07:38
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金融界2025年5月17日消息，国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“应变硅层和半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN119997601A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本发明提供一种应变硅层和半导体结构的形成方法，包括覆盖半导体层和栅堆叠结构形成刻蚀停止层，半导体层包括分隔的第一器件区域和第二器件区域；于刻蚀停止层上形成围绕栅堆叠结构侧壁的辅助侧墙；形成图案化的硬掩膜层；以图案化的硬掩膜层为刻蚀掩膜，通过湿法刻蚀工艺对第二器件区域进行选择性刻蚀，形成西格玛沟槽；于西格玛沟槽中生长应变硅层。本发明在不牺牲西格玛沟槽的关键尺寸一致性的前提下，避免西格玛沟槽的形成工序中干法刻蚀所致的刻蚀负载效应。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目696次，专利信息105条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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