美光科技申请包含FeFET存储器单元层面和竖直控制栅极的存储器装置专利，从第一额外导电结构到第二额外导电结构的方向垂直于导电结构的长度的方向
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2025-07-14 10:09:00
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金融界2025年7月14日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“包含FeFET存储器单元层面和竖直控制栅极的存储器装置”的专利，公开号CN120304031A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含电结构；铁电部分，其环绕所述导电结构；电荷存储结构，其环绕所述铁电部分；电介质部分，其环绕所述电荷存储结构；半导体部分，其环绕所述电介质部分；第一额外导电结构，其邻近所述半导体部分的第一侧；和第二额外导电结构，其邻近所述半导体部分的第二侧，其中从所述第一额外导电结构到所述第二额外导电结构的方向垂直于所述导电结构的长度的方向。
来源：金融界
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