金融界2025年7月14日消息,国家知识产权局信息显示,华虹半导体(无锡)有限公司;华虹半导体制造(无锡)有限公司申请一项名为“应用于金属栅格制作工艺中的刻蚀方法”的专利,公开号CN120302740A,申请日期为2025年03月。
专利摘要显示,本申请公开了一种应用于金属栅格制作工艺中的刻蚀方法,包括:提供一衬底,衬底上用于形成半导体器件的区域包括第一区域和第二区域,衬底背面的第一区域中形成有第一凹槽,衬底背面的第二区域中形成有第二凹槽,衬底背面的表面从下而上依次形成有第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第三金属层和第二绝缘层;在第二绝缘层上覆盖光阻,依次进行曝光和显影后去除目标区域的光阻,目标区域位于第一区域;进行刻蚀,去除目标区域的第二绝缘层,在第一区域的第二绝缘层中形成第三凹槽;进行刻蚀,去除第三凹槽底部的第二金属层和第三金属层,形成第四凹槽;在第二绝缘层和第四凹槽表面形成氮化物保护层;在氮化物保护层表面形成氧化物粘着层。
天眼查资料显示,华虹半导体(无锡)有限公司,成立于2017年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体(无锡)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目2926次,专利信息1710条,此外企业还拥有行政许可117个。
华虹半导体制造(无锡)有限公司,成立于2022年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体制造(无锡)有限公司参与招投标项目373次,专利信息38条,此外企业还拥有行政许可226个。
来源:金融界