拓荆创益（沈阳）半导体申请静电吸盘结构半导体工艺处理专利，提高工艺效率
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2025-07-15 15:11:16
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金融界2025年7月15日消息，国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“静电吸盘结构，半导体工艺的处理设备和处理方法”的专利，公开号CN120319714A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明公开了一种静电吸盘结构，半导体工艺的处理设备和处理方法。静电吸盘结构包括：吸盘本体，其内部包括吸附电极，用于提供正电荷以与等离子体场中晶圆表面的负电荷产生静电力吸附晶圆；以及升降销，可升降地设于吸盘本体中，升降销包括导电内芯和绝缘外圈，其中，升降销的底端接地，其顶端在晶圆完成等离子体参与的工艺处理后，上升接触并顶起晶圆以在晶圆与地端之间形成第一电荷释放通道释放负电荷，并将晶圆同步顶起到目标位置。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息331条，此外企业还拥有行政许可10个。
来源：金融界
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