富芯半导体取得改进离子注入流程提升晶圆均匀性专利
创始人
2025-07-16 12:39:45
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金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司取得一项名为“一种晶圆的离子注入方法”的专利，授权公告号CN114334633B，申请日期为2021年12月。

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目27次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息286条，此外企业还拥有行政许可17个。

来源：金融界

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