长江存储申请半导体装置及其制造方法专利，本公开涉及半导体装置及其制造方法
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2025-07-16 15:38:32
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金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN120321946A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体装置及其制造方法。示例性半导体装置包括导电层。导电层包括第一导电层和第二导电层。半导体装置还包括位于第一导电层和第二导电层之上的绝缘结构。绝缘结构包括第一层。第一层的材料具有小于位于导电层之间的绝缘材料的蚀刻速率的第一蚀刻速率。半导体装置还包括延伸穿过第一层的第一部分并且连接到第一导电层的第一接触结构。半导体装置还包括延伸穿过第一层的第二部分并且连接到第二导电层的第二接触结构。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1394次，财产线索方面有商标信息977条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。
来源：金融界
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