芯恩申请半导体刻蚀速率的测量方法专利，可准确获取半导体衬底的刻蚀速率
创始人
2025-07-17 11:38:13
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金融界2025年7月17日消息，国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“半导体刻蚀速率的测量方法”的专利，公开号CN120313495A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体刻蚀速率的测量方法，通过在半导体衬底中刻蚀出凹槽，并于凹槽中填充不同于半导体衬底反射光谱的第二材料层，以利用置换法，将第二材料层与部分半导体衬底进行置换，从而结合反射光谱法可准确获取半导体衬底的刻蚀速率；进一步的，还可采用该测量方法对晶圆级的半导体衬底进行刻蚀速率的测量，从而可根据需要获取晶圆各区域的刻蚀速率，以进一步提高晶圆刻蚀速率的准确性。
天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目175次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息728条，此外企业还拥有行政许可56个。
来源：金融界
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