长鑫科技申请半导体结构及其制备方法专利，同时改善半导体结构的浮体效应和耦合效应
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2025-07-17 16:10:08
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金融界2025年7月17日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120321941A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，本公开实施例涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：阵列排布的多个有源组，有源组包括沿第一方向间隔排布的两个半导体柱；对应于一有源组且沿第一方向间隔排布的一条体区控制线以及两条字线，体区控制线位于两个半导体柱的彼此靠近的第一侧壁上，两条字线分别位于两个半导体柱的背离体区控制线的第二侧壁上，体区控制线与字线在沿第一方向上部分相对。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息453条，此外企业还拥有行政许可34个。
来源：金融界
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