南亚科技申请包括多个间隙子的半导体元件及其制备方法专利，能提供一种含多个间隙子的半导体元件及制备方法
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2025-05-17 12:04:32
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金融界2025年5月17日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“包括多个间隙子的半导体元件及其制备方法”的专利，公开号CN119997500A，申请日期为2024年2月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一基底；一栅极电极，设置在该基底上；一第一金属接触件，设置在该栅极电极中；一第一间隙子，设置在该栅极电极的一侧壁上；以及一第二间隙子，覆盖该第一间隙子；其中第一间隙子包括多个掺杂物。
来源：金融界
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