南亚科技申请包括多个间隙子的半导体元件及其制备方法专利,能提供一种含多个间隙子的半导体元件及制备方法
创始人
2025-05-17 12:04:32
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金融界2025年5月17日消息,国家知识产权局信息显示,南亚科技股份有限公司申请一项名为“包括多个间隙子的半导体元件及其制备方法”的专利,公开号CN119997500A,申请日期为2024年2月。

专利摘要显示,本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一基底;一栅极电极,设置在该基底上;一第一金属接触件,设置在该栅极电极中;一第一间隙子,设置在该栅极电极的一侧壁上;以及一第二间隙子,覆盖该第一间隙子;其中第一间隙子包括多个掺杂物。

来源:金融界

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