陛通半导体设备取得原子层沉积设备专利，极大简化设备结构，降低设备使用成本
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2025-05-17 12:04:33
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金融界 2025 年 5 月 17 日消息，国家知识产权局信息显示，陛通半导体设备（苏州）有限公司取得一项名为“原子层沉积设备”的专利，授权公告号 CN222861631U，申请日期为 2025 年 4 月。
专利摘要显示，本实用新型提供一种原子层沉积设备。设备包括外腔、内反应腔、基座、升降板、多个顶针、多个支撑杆以及升降驱动组件；外腔上设置有晶圆进出通道；内反应腔设置于外腔内，包括环形侧壁以及可将环形侧壁顶部封闭的顶盖；基座固定于内反应腔内；升降板位于内反应腔内，且环设于基座外围；多个顶针设置在基座外部，且一端与升降板连接，另一端延伸至与晶圆底面接触；多个支撑杆位于顶针外侧，支撑杆一端与升降板连接，另一端与顶盖连接，且至少有两个支撑杆之间的距离大于晶圆的直径；升降驱动组件与升降板连接，且向下延伸到内反应腔的外部，升降驱动组件可将晶圆升至与晶圆进出通道对应的高度。本申请可以极大简化设备结构，降低设备使用成本。
天眼查资料显示，陛通半导体设备（苏州）有限公司，成立于2020年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20500万人民币。通过天眼查大数据分析，陛通半导体设备（苏州）有限公司参与招投标项目3次，专利信息27条，此外企业还拥有行政许可8个。
来源：金融界
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