南亚科技申请具有衬垫接触的半导体元件及其制备方法专利，提供单元接触结构、半导体元件及其制备方法
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2025-07-19 10:11:12
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金融界2025年7月19日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有衬垫接触的半导体元件及其制备方法”的专利，公开号CN120341175A，申请日期为2024年05月。
专利摘要显示，本公开提供一种单元接触结构、一半导体元件及其制备方法。该单元接触结构包括：一接触层，位于一基板上并被多个位元线结构和多个分隔层包围；以及一衬层，位于该接触层与该基板之间、该接触层与该些位元线结构之间、和该接触层与该些分隔层之间。该接触层的一顶表面和该衬层的一顶表面实质上共平面。该衬层包括经掺杂的多晶硅、经掺杂的多晶锗、或经掺杂的多晶硅锗。该接触层包括钨、钛、或氮化钛。
来源：金融界
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