桑迪士克申请包含非等边三角形布局存储器开口三维存储器设备及其制造方法专利，一种存储器设备包括绝缘层和导电层的交替堆叠
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2025-07-19 16:09:10
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金融界2025年7月19日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“包含以非等边三角形布局布置的存储器开口的三维存储器设备及其制造方法”的专利，公开号CN120345355A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，一种存储器设备包括：绝缘层和导电层的交替堆叠；存储器开口，该存储器开口竖直延伸穿过该交替堆叠，其中三个最近邻存储器开口的最小单元形状为非等边三角形；以及存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于该存储器开口中，其中该存储器开口填充结构中的每个存储器开口填充结构包括竖直半导体沟道和存储器元件的竖直堆叠。
来源：金融界
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