飞锃半导体申请半导体结构及其形成方法专利，提升半导体结构性能
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2025-05-18 00:05:01
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金融界2025年4月10日消息，国家知识产权局信息显示，飞锃半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN 119786499 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底中包括元胞区；依次位于相邻的元胞区之间的半导体衬底表面的栅极电介质和栅电极；第一层间电介质层，包覆所述栅极电介质和栅电极并覆盖所述半导体衬底表面；第一源极金属层，位于所述元胞区上方的第一层间电介质层表面并贯穿所述第一层间电介质层电连接所述元胞区；第一栅极金属布线层，位于所述栅电极上方的第一层间电介质层表面并贯穿所述第一层间电介质层电连接所述栅电极；第二层间电介质层，包覆所述第一栅极金属布线层并隔离所述第一源极金属层和第一栅极金属布线层；源极金属层抬升结构，位于所述第一源极金属层表面。
天眼查资料显示，飞锃半导体（上海）有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本408.1522万美元。通过天眼查大数据分析，飞锃半导体（上海）有限公司共对外投资了1家企业，专利信息102条，此外企业还拥有行政许可3个。
来源：金融界
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