鸿扬半导体申请半导体装置与其制造方法专利,可降低半导体装置导通电阻
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2025-05-18 13:06:54
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金融界2025年5月3日消息,国家知识产权局信息显示,鸿扬半导体股份有限公司申请一项名为“半导体装置与其制造方法”的专利,公开号CN119907253A,申请日期为2024年3月。

专利摘要显示,一种制造半导体装置的方法包含在基板上形成磊晶层,在磊晶层中形成阱区与源极区,在磊晶层中形成第一沟槽,且第一沟槽的角落具有朝阱区突出的圆角,在磊晶层中形成第二沟槽,第二沟槽的底部高于第一沟槽的底部,且第二沟槽的宽度大于第一沟槽的宽度,以及在第一沟槽与第二沟槽中形成栅极结构。本揭露中的半导体装置可避免栅极结构的角落电场集中,因此可以降低半导体装置的导通电阻。

来源:金融界

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