亚德诺半导体国际无限责任公司申请耐高压自举开关专利，提升开关的性能
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2025-05-18 19:08:17
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金融界 2025 年 5 月 6 日消息，国家知识产权局信息显示，亚德诺半导体国际无限责任公司申请一项名为“耐高压自举开关”的专利，公开号 CN119921744A，申请日期为 2024 年 5 月。
专利摘要显示，公开了用于耐高压自举开关的装置和方法。在某些实施例中，集成电路(IC)包括接收输入电压的输入节点、输出节点和连接在输入节点和输出节点之间的开关。开关包括串联电连接在输入节点和输出节点之间的第一场效应晶体管(FET)和第二 FET。所述开关可在断开状态和导通状态之间配置，在所述断开状态中用第一电压控制第一 FET 的栅极并且用第二电压控制第二 FET 的栅极；在所述导通状态中用跟踪输入电压的电压控制第一 FET 和第二 FET 的栅极。
来源：金融界
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