最近市场炒得火热的芯片晶圆板封装（CoWoP）技术，与现有的CoWoS封装有什么区别？对供应链有何影响？商业化前景如何？

8月5日，据追风交易台消息，摩根大通在最新研报中称，英伟达正在探索一项革命性的芯片封装技术CoWoP（Chip-on-Wafer-on-PCB），该技术有望替代现有的CoWoS封装方案。

摩根大通指出，这一技术变革将利用先进的高密度PCB（印刷电路板）技术，去除CoWoS封装中的ABF基板层，直接将中介层与PCB连接。

该行还在研报中详细分析了"CoWoP"技术对于供应链的影响，认为对ABF基板厂商显然是负面消息，却是PCB制造商的重大机遇。

虽然，摩根大通分析师认为该技术在中期内商业化概率较低，主要受制于多重技术挑战，但是该行在研报中强调：

无论CoWoP是否成功量产，英伟达都通过系统级方法继续引领数据中心AI基础设施创新。

研报称，CoWoP代表Chip-on-Wafer-on-PCB技术路径。在完成芯片-晶圆中介层制造步骤后，中介层（顶部带芯片）直接安装到PCB（也称为平台PCB）上，而不是像CoWoS工艺那样绑定到ABF基板上。

该技术的潜在优势包括：

• 简化系统结构，通过减少传输损耗提高数据传输效率，确保NVLink互连更高的范围；
• 更好的热管理性能和更低的功耗；
• 降低每代产品都在上升的基板成本；
• 潜在减少一些后端测试步骤。

然而，摩根大通认为，这项技术存在关键挑战。目前只有苹果公司采用mSAP或SLP PCB技术，但其节距尺寸更大，PCB板面积更小，因此将此技术扩展到具有更高载流能力的大型GPU仍然是技术和运营挑战。

供应链影响：IC基板负面冲击显著、PCB制造商的重大机遇

摩根大通在研报中称，对ABF基板厂商而言，这显然是负面消息，因为基板附加值可能会大幅减少或完全消失，更复杂、精细节距的信号路由将转移到RDL层（中介层），而高端PCB层承担封装内路由步骤。

摩根大通认为，对于PCB制造商，是一个重大机遇高速。研报指出：

“性能与主板高电流/电压要求之间的权衡是阻止平台PCB实现真正基板规格的主要挑战。mSAP是在实现25/25微米更精细线/间距尺寸方面最佳的PCB技术，但仍远低于ABF的亚10微米线/间距能力。”

因此，该行认为，具备先进mSAP能力以及基板/封装工艺深度知识的公司将更有优势。

中期内商业化概率较低，无碍英伟达创新领导力持续强化

摩根大通分析师认为，由于多重技术挑战，CoWoP中期内商业化的概率仍然较低。

历史上，更高的I/O数量和更精细的线/间距尺寸（CoWoS-L降至5微米，CoWoS-S约10微米）需要迁移到ABF基板。对于AI加速器，即使ABF基板也预计会在5/5线/间距尺寸之后失效。

PCB技术即使使用mSAP，目前也只能达到20-30微米的线/间距宽度，与期望性能相比仍存在较大差距。

据，大摩也表示，当前高密度互连(HDI) PCB的L/S为40/50微米，即使是用于iPhone主板的类基板PCB(SLP)也仅达到20/35微米，要将PCB的L/S从20/35微米缩小到10/10微米以下存在显著技术难度。

此外，摩根大通认为，英伟达目前确定的路线图（向CoWoS-L、CoPoS发展，在Cordelia Board中采用GPU插座）与CoWoP追求的新方向也相当矛盾。

供应链研究显示，高附加值封装生态系统参与者（如台积电）参与度不高，主要集中在PCB厂商和特定的OSAT厂商，这降低了商业化的可能性。

不过，摩根大通指出，无论CoWoP是否成功量产，英伟达都通过系统级方法继续引领数据中心AI基础设施创新。

“在半导体领域，英伟达率先推出CoWoS-L封装，探索CoWoP和CoPoS封装技术，并可能领导大规模CPO（共封装光学）应用和1.6T光学技术发展。”

摩根大通称，这种持续创新能力预计将使英伟达在未来数年内保持GPU领域的领先优势，并在与ASIC竞争中占据主导地位。