新存科技申请相变存储器的形成方法和相变存储器专利，提高器件读写性能
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2025-08-20 18:36:42
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金融界2025年8月20日消息，国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“相变存储器的形成方法和相变存储器”的专利，公开号CN120513021A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本申请涉及一种相变存储器的形成方法和相变存储器，在保护结构的侧壁形成了牺牲层，并以牺牲层、保护结构和相变结构为掩膜刻蚀选择单元层，因此牺牲层在该刻蚀工艺中保护了内侧的保护结构，使得保护结构在该刻蚀过程中厚度和质量基本不受损，从而在后续制程中保护结构可以继续保护相变单元的相变材料，以增强对相变材料的保护，进而提高器件读写性能。
天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目3次，专利信息141条。
来源：金融界
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