CVD二硫化钼薄膜 CVD MoS2
CVD二硫化钼薄膜 CVD MoS2
二硫化钼（MoS2）是一类典型的过渡金属硫族化合物（TMDs），以其独特的层状结构和优良的电子、光学特性在新一代电子器件、光电探测器、传感器以及能源转换领域中具有重要应用价值。采用化学气相沉积（CVD, Chemical Vapor Deposition）方法制备的MoS2薄膜，具有高质量、均匀性好、可控性强的优势，能够实现大面积连续薄膜的合成，相比于传统的机械剥离法，CVD方法更适合规模化生产与器件集成。
CVD MoS2薄膜通常通过在高温条件下，以MoO3或MoCl5为钼源、S粉或H2S为硫源进行反应，沉积在蓝宝石、SiO2/Si或石英等衬底上。通过调控温度、气氛流量、前驱体比例和沉积时间，可以获得单层或多层的MoS2薄膜，并且其层数、晶粒大小、晶向取向均可控。单层MoS2具有直接带隙（约1.8 eV），而多层MoS2呈现间接带隙（约1.2 eV），这种带隙的层数依赖性，使其在光电转换和可调谐电子器件中具有独特优势。
CVD MoS2薄膜可广泛应用于场效应晶体管（FET）、柔性电子器件、光电探测器、氢析出反应（HER）电催化剂以及传感器器件等。近年来，研究者还将CVD MoS2与石墨烯、h-BN等二维材料进行异质结构集成，用于构建新型隧穿器件与光电子元件。随着CVD工艺的成熟，大面积高质量MoS2薄膜有望在半导体产业中实现更广泛的应用。
产地：西安瑞禧生物科技
分类：CVD薄膜
尺寸：可定制
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