长飞先进半导体申请半导体功率器件专利，简化了半导体功率器件的制备难度
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2025-05-19 20:35:39
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金融界2025年5月19日消息，国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体功率器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆”的专利，公开号CN120018554A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体功率器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆，半导体功率器件包括半导体本体；沟槽栅结构；位于半导体本体的第一区表面的栅极沟槽中；半导体本体包括第一接触区和体区；第一接触区包括第一子接触区和第二子接触区，分别从第一表面延伸至半导体本体中，第一子接触区沿栅极沟槽侧壁设置，并与沟槽栅结构接触；第二子接触区位于第一子接触区远离沟槽栅结构的一侧；沿第一表面到第二表面的方向，第一子接触区的长度大于等于体区的厚度；接触金属层，位于半导体本体的第二区表面，与半导体本体的第二区表面形成肖特基接触。本发明提供的技术方案，简化了半导体功率器件的制备难度，降低了器件在反向续流状态下的能量损耗。
天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目22次，专利信息58条，此外企业还拥有行政许可15个。
来源：金融界
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