紫光半导体申请半导体器件及其制备方法专利，简化制造工艺提高生产效率
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2025-05-20 21:07:45
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金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN120018510A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本公开涉及一种半导体器件及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次形成通道氧化物层、FG多晶硅层、ONO介质层、CG多晶硅层、氧化物层和氮化硅层；利用第一掩膜依次刻蚀氮化硅层、氧化物层、CG多晶硅层、ONO介质层和FG多晶硅层，形成FG；去除第一掩膜，利用第二掩膜依次刻蚀氮化硅层、氧化物层、CG多晶硅层和ONO介质层，形成CG。该方法在衬底上先形成FG，然后再形成CG，相比于现在技术，将CG和FG的成型顺序转变，可以在最后形成CG后再进行沉积介质层以保防GATE侧壁，简化制造工艺，提高生产效率。

天眼查资料显示，成都紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都紫光半导体科技有限公司专利信息19条。

来源：金融界

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