晶艺半导体申请MOSFET器件及其制备方法专利，优化比导通电阻和击穿电压的折中关系
创始人
2025-05-21 10:34:19
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金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，晶艺半导体有限公司申请一项名为“MOSFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN120018550A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本申请提供了一种MOSFET器件及其制备方法，器件包括：第一导电类型的衬底及其上的外延层；形成于外延层内的多个第二导电类型的柱区，和外延层横向交错设置；第一沟槽和第二沟槽从外延层左右两侧的顶面向下延伸至柱区的顶部；第一栅区和第一分裂栅形成于第一沟槽内；第二栅区和第二分裂栅对称形成于第二沟槽内；第一栅区和第二栅区分别包括上部和下部，上部的横向宽度大于下部的横向宽度，形成倒L型结构；第一栅区覆盖第一分裂栅，第二栅区覆盖于第二分裂栅，均通过层间介质层隔离。
天眼查资料显示，晶艺半导体有限公司，成立于2019年，位于成都市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5313.4111万人民币。通过天眼查大数据分析，晶艺半导体有限公司财产线索方面有商标信息2条，专利信息107条，此外企业还拥有行政许可3个。
来源：金融界
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