奕斯伟材料申请改善外延晶圆电阻率方法及装置专利，可改善外延晶圆电阻率
创始人
2025-05-21 11:05:07
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金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“一种改善外延晶圆电阻率的方法及装置”的专利，公开号CN120006386A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本公开提供了一种改善外延晶圆电阻率的方法及装置，该方法包括：在对衬底晶圆进行气相沉积反应过程中，从第一时刻开始向气体管路通入掺杂气体；从晚于所述第一时刻的第二时刻开始，向所述气体管路通入硅源气体，以使得所述硅源气体与所述掺杂气体同时进入外延生长设备中的外延沉积腔室。
天眼查资料显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司，成立于2016年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本350000万人民币。通过天眼查大数据分析，西安奕斯伟材料科技股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目3次，专利信息1275条，此外企业还拥有行政许可24个。
来源：金融界
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