极目新闻记者 马清妮

通讯员 宋珈琪

10月27日，由中冶南方承建的湖北省重点项目——武汉化合物半导体孵化及加速制造基地实现全部楼栋主体结构封顶，向着2026年6月竣工验收的目标全力冲刺。

施工现场

该项目是九峰山实验室的重大配套工程，总建筑面积16.8万平方米，主要建设内容包括研发办公楼、中试车间、洁净厂房等孵化加速功能载体。其中三分之二以上的空间用于打造千级/百级超净洁净室、高效冷却设备、超纯水处理系统、大宗气体系统等半导体生产公共基础设施，可满足半导体产业链相关企业的生产需求。

上午10时许，极目新闻记者由九龙湖街一侧进入基地。4栋生产厂房呈线型分布，成为基地的视觉焦点。厂房采用公建化外立面，大面积玻璃幕墙搭配超大铝板，颇具科技感。在层高约9米的B3生产厂房内，银白色通风管道布设规整，工人们正在进行室内的洁净装饰装修施工。

玻璃幕墙搭配超大铝板外立面

“简单来说，我们就是为芯片生产提供一个超洁净的环境。”项目负责人刘华伟告诉记者，市民手机、家用电子设备中薄薄一块的芯片，实则需要经过拉晶、切割、光刻、掺杂、布线等数百甚至上千道“微观塑形”才能最终诞生。

而大多数人不知道，一块“指甲盖”大小芯片，需要一个极致“挑剔”的制造环境——22℃恒温恒湿、抗微震、千/百级洁净度。

百级洁净度是什么概念？刘华伟解释，这就相当于每立方米空气中，直径大于或等于0.5微米的悬浮粒子数目不超过100个。

项目展厅

为了达到这一严苛标准，项目选址时就避开城市主干道，基地周边有九龙水库及长岭山，生态环境适宜；厂房内还将采用MAU+FFU+DCC洁净系统，通过维持内正压并过滤室外新鲜空气、循环过滤去除空气中的微粒、精确控制室内温度，确保洁净室内的环境条件满足生产要求；地面施工中，项目团队还采用了激光整平机，配合人工精磨，分三次收光。可以将地面平整度误差≤1mm/米，表面光洁度提升60%，为洁净层施工奠定基础。

此外，项目引入方圆扣加固技术、盘扣支撑体系、新型跳仓法技术、精密整平工艺、预铺反粘防水技术等八大类、18 小项新技术，既提升施工效率，又保障工程质量精度。

该项目预计2026年6月完工。届时，项目将引进化合物半导体行业设备制造、设计研发、产业链关联的技术领先型企业和总部集群，助力武汉东湖新技术开发区抢抓半导体产业换道超车机遇期，提升我国化合物半导体技术水平。

（图片由通讯员提供）

（来源：极目新闻）