新存科技申请相变存储器专利，提高相变存储器可靠性
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2025-05-15 10:44:01
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金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“相变存储器”的专利，公开号CN 119789777 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体结构领域，提供了一种相变存储器，包括相变层；分别位于所述相变层的相对两侧的第一电极结构和所述第二电极结构；所述第一电极结构远离所述相变层的部分的导热率大于其靠近所述相变层的部分的导热率。本申请提供一种相变存储器，通过将相变层两侧的第一电极结构设置为传导结构，以提高相变层在竖直方向上的热量传导效率，从而避免相变层的热量在水平方向上传导至其他存储单元上，从而对其他存储单元造成热串扰，提高了相变存储器的可靠性。
天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1718.4646万人民币，实缴资本1257.59万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目3次，专利信息96条。
来源：金融界
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