三星电子等申请具平行自旋动量锁定的自旋电流的磁隧道结切换专利,提供可用较低切换电流操作的MTJ器件
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2025-05-21 19:45:36
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金融界2025年5月21日消息,国家知识产权局信息显示,三星电子株式会社;国际商业机器公司申请一项名为“具有平行自旋动量锁定的自旋电流的磁隧道结切换”的专利,公开号CN120018513A,申请日期为2024年10月。

专利摘要显示,提供了用于利用自旋转移矩的MRAM器件的方法和装置。一种器件包括:衬底;在衬底上方形成的MTJ,MTJ包括参考层、隧道势垒层和自由层;以及在MTJ的自由层上方形成的PSM层。PSM层(即,手性材料层)可以被形成为与MTJ的自由层相邻(或与TBL相邻,TBL与自由层相邻),从而提供自旋转移矩的附加源,并提供可用较低切换电流操作的MTJ器件。

来源:金融界

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