金融界2025年5月21日消息,国家知识产权局信息显示,三星电子株式会社;国际商业机器公司申请一项名为“具有平行自旋动量锁定的自旋电流的磁隧道结切换”的专利,公开号CN120018513A,申请日期为2024年10月。
专利摘要显示,提供了用于利用自旋转移矩的MRAM器件的方法和装置。一种器件包括:衬底;在衬底上方形成的MTJ,MTJ包括参考层、隧道势垒层和自由层;以及在MTJ的自由层上方形成的PSM层。PSM层(即,手性材料层)可以被形成为与MTJ的自由层相邻(或与TBL相邻,TBL与自由层相邻),从而提供自旋转移矩的附加源,并提供可用较低切换电流操作的MTJ器件。
来源:金融界