创芯集成电路申请半导体结构及其形成方法专利，进一步提升半导体晶体管开态电流
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2025-05-22 08:35:06
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金融界2025年5月22日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120018574A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法，包括：提供基底，包括第一区，与第一区环绕相连的第二区；在第一区依次形成堆叠的第一源极层、第一源沟层、第一沟道层和第一沟漏层；在第二区形成环绕覆盖第一源沟层、第一沟道层和第一沟漏层侧壁的第一栅介质层；形成环绕覆盖第一栅介质层的第一栅结构层；在第一沟漏层上依次形成堆叠的第一漏极层、牺牲层、第二源极层、第二源沟层、第二沟道层和第二沟漏层；在第二区内形成环绕覆盖第二源沟层、第二沟道层和第二沟漏层侧壁的第二栅介质层；形成环绕覆盖第二栅介质层的第二栅结构层；形成覆盖第二沟漏层的第二漏极层。采用上述形成方法，可以进一步提升半导体晶体管开态电流。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目248次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息302条，此外企业还拥有行政许可6个。
来源：金融界
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