天鉴碳材料申请硅晶圆原子晶格模板生长钻石膜专利，可避免热点逐渐破坏芯片功能
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2025-12-01 11:07:44
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国家知识产权局信息显示，天鉴碳材料有限公司申请一项名为“一种以硅晶圆的原子晶格为模板而在其上生长的钻石膜”的专利，公开号CN121035079A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本发明涉及钻石面碳化硅技术领域，且公开了一种以硅晶圆的原子晶格为模板而在其上生长的钻石膜，介面处硅与钻石原子的比率由100%逐渐减小至约0%，原子比率调整的沉积方法乃用微波等离子体内完成，其硅碳比乃由ALD控制的硅烷比甲烷混入主体的氢气而逐层沉积，钻石膜可外延加厚，钻石膜可为多晶或单晶，钻石膜可用为半导体的芯片或其散热片，如上的钻石膜可用为生长培育钻石的子晶；本发明所述的以硅晶圆的原子晶格为模板而在其上生长的钻石膜，以高硬度材料的共价键与热点区的原子共振，这样就可以使其振动频率大幅度下降，因而可避免热点逐渐破坏了芯片的功能。
天眼查资料显示，天鉴碳材料有限公司，成立于2018年，位于郑州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，天鉴碳材料有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息2条，此外企业还拥有行政许可3个。
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来源：市场资讯
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