力晶积成申请电容器结构及其制造方法专利
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2025-12-01 12:35:40
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国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“电容器结构及其制造方法”的专利，公开号CN121038595A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，一种电容器结构及其制造方法。所述电容器结构包括基底、第一电极、第一支撑层、第二支撑层、电容介电层以及第二电极。基底具有设置于表面处的导电组件。第一电极包括第一部分以及与所述第一部分连接的第二部分，其中所述第一部分设置于所述导电组件上，且所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度。第一支撑层设置于所述基底上，且围绕所述第一电极的所述第一部分。第二支撑层设置于所述第一支撑层上方，且围绕所述第一电极的所述第二部分。电容介电层设置于所述第一电极的表面上、所述第一支撑层的表面上以及所述第二支撑层的表面上。第二电极设置于所述电容介电层上。
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