龙腾半导体申请基于梯度场氧的SGT MOSFET器件及其制备方法专利，改善沟槽底部、侧壁以及顶部的电场分布_资源案例

龙腾半导体申请基于梯度场氧的SGT MOSFET器件及其制备方法专利，改善沟槽底部、侧壁以及顶部的电场分布

创始人

2025-12-01 18:07:04

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国家知识产权局信息显示，龙腾半导体股份有限公司申请一项名为“基于梯度场氧的SGT MOSFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN121038304A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于梯度场氧的SGT MOSFET器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该制备方法包括提供一衬底，并在衬底上生长外延层；对外延层进行刻蚀，形成沟槽；对沟槽的不同位置分别进行场氧填充，形成梯度场氧结构；其中，梯度场氧结构至少包括位于沟槽底部的第一场氧、位于沟槽侧壁的第二场氧以及位于沟槽顶部的第三场氧。本发明提供的SGT MOSFET器件的制备方法改善了沟槽底部、侧壁以及顶部的电场分布，解决了器件在可靠性方面漏电偏大的问题，同时使得器件的耐压更优，提升了器件的可靠性、电学性能以及器件制造过程中的良率。

天眼查资料显示，龙腾半导体股份有限公司，成立于2009年，位于西安市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本16126.1111万人民币。通过天眼查大数据分析，龙腾半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息162条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法投资沟槽器件半导体梯度电场专利底部侧壁场氧梯度场

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