晶合集成申请具有MIM电容的半导体器件及其制作方法专利，可靠性高
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2025-12-01 21:11:50
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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“具有MIM电容的半导体器件及其制作方法”的专利，公开号CN121038295A，申请日期为2025年10月。专利摘要显示，本发明公开了一种具有MIM电容的半导体器件及其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：提供金属间介电层；形成位于该金属间介电层上的中间介质层；在中间介质层及金属间介电层上形成金属层；研磨金属层至其表面平坦并暴露出中间介质层；在距离中间介质层一定距离的位置处，刻蚀金属层，在中间介质层两侧形成MIM电容的上极板和下极板，且将MIM电容区域和非MIM电容区域隔离。本发明形成的具有MIM电容的半导体器件性能好、可靠性高。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目632次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1435条，此外企业还拥有行政许可22个。
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