时代全芯申请相变存储器相变材料层蚀刻方法专利，提高产品良率_资源案例

时代全芯申请相变存储器相变材料层蚀刻方法专利，提高产品良率

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2025-12-02 12:11:05

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国家知识产权局信息显示，北京时代全芯存储技术股份有限公司、北京时代全芯存储科技有限公司申请一项名为“相变存储器的相变材料层的蚀刻方法”的专利，公开号CN121038594A，申请日期为2025年9月。专利摘要显示，本发明提供一种相变存储器的GST层的蚀刻方法，属于半导体集成电路制造领域。本发明的蚀刻方法包括：积层体形成步骤，在半导体衬底上形成积层体，积层体包括从下至上依次形成的GST层，TiN层，SiN层，ARC层，以及PR层，其中，SiN层的厚度小于或等于60纳米；光刻步骤，对PR层进行曝光显影，形成图案化PR层；第一蚀刻步骤，通过图案化PR层对ARC层和SiN层进行蚀刻，形成图案化SiN层；以及第二蚀刻步骤，通过图案化SiN层对TiN层和GST层进行蚀刻，形成图案化TiN层和图案化GST层。通过本发明的蚀刻方法，可以减少缺陷，从而提高产品良率。此外还简化了制造工艺，降低了制造成本。

天眼查资料显示，北京时代全芯存储技术股份有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本121815.0486万人民币。通过天眼查大数据分析，北京时代全芯存储技术股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息164条，此外企业还拥有行政许可9个。

北京时代全芯存储科技有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京时代全芯存储科技有限公司专利信息91条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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