天大与云端能源申请碳化硅MOSFET的有源栅极驱动抑制漏源过电压及过电流装置专利，解决SiC MOSFET高速开关过程中因电路寄生参数导致的电压或电流过冲问题
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2025-12-02 15:07:07
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国家知识产权局信息显示，天津大学和内蒙古云端能源技术咨询有限公司申请一项名为“一种碳化硅MOSFET的有源栅极驱动抑制漏源过电压及过电流的装置”的专利，公开号CN121036498A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提出一种碳化硅MOSFET的有源栅极驱动抑制漏源过电压及过电流的装置，旨在解决SiC MOSFET高速开关过程中因电路寄生参数导致的电压或电流过冲问题，同时兼顾开关速度与能量损耗平衡。该装置通过采集SiC MOSFET的漏源电压v。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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