创世舫申请半桥电路和装入在封装中的电子部件专利，在第三操作模式期间III-N耗尽模式晶体管的导通电阻的增加小于5%
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2025-12-02 16:35:55
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国家知识产权局信息显示，创世舫科技有限公司申请一项名为“半桥电路和装入在封装中的电子部件”的专利，公开号CN121038348A，申请日期为2020年3月。专利摘要显示，提供一种半桥电路和装入在封装中的电子部件。半桥电路包括连接到高电压节点的高侧开关；连接到接地节点的低侧开关，包括低电压增强模式晶体管和高电压III-N耗尽模式晶体管；连接到高侧开关与低侧开关之间的节点的电感器。在第一操作模式下，高侧开关导通且低侧开关截止时，电流在第一方向上流过高侧开关和电感器；在第二操作模式下，高侧开关截止且低侧开关截止时，电流在第二方向上流过低侧开关和电感器；在第三操作模式下，高侧开关截止且低侧开关导通时，电流在第二方向上流过低侧开关和电感器。在第二操作模式期间，流过低侧开关的反向DC电流大于50A；在第三操作模式期间，III-N耗尽模式晶体管的导通电阻的增加小于5%。
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