中芯国际申请光电集成的半导体器件及其制备方法专利，结构简单_资源案例

中芯国际申请光电集成的半导体器件及其制备方法专利，结构简单

创始人

2025-05-23 09:05:29

0次

金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“一种光电集成的半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN120035238A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种光电集成的半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括具有同一衬底的像素单元和逻辑单元，像素单元包括过渡层和位于过渡层上的光吸收层，上述过渡层的材料包括光吸收层的材料；其中，像素单元用于将通过光吸收层吸收的近红外光转换为电信号，并传输给逻辑单元；逻辑单元包括源漏结构，源漏结构包括过渡层；逻辑单元用于对电信号进行逻辑处理。本发明提供的半导体器件具有结构简单，便于小型化以及制备效率高的特点。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目51次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可226个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息149条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。

来源：金融界

企业制造方法显示信息单元逻辑中芯国际集成专利过渡层半导体中芯集成电路

上一篇：苏州捷诚科技取得轴力矩传感器专利，便于对传感器进行拆卸更换

下一篇：搏思远科技取得具有防误触结构开关专利实现防误触目的

中芯国际申请光电集成的半导体器件及其制备方法专利，结构简单

相关内容

热门资讯