摩珂达半导体申请功率GaN HEMT开关动态电流特性建模方法专利 多项指标相对于传统模型存在明显优势
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2025-05-23 13:09:44
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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，浙江摩珂达半导体有限公司申请一项名为“一种功率GaN HEMT开关动态电流特性建模方法”的专利，公开号CN120030962A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本发明公开一种功率GaN HEMT开关动态电流特性建模方法，结合了先进的静态和递归神经网络概念，以设计出精确的模型架构。所提出的模型整合了自热效应，并耦合了三种不同的电流分量：零阶时间微分的本征电流模块、一阶时间微分的容性电流模块以及高阶时间微分的非理想电流模块，从而形成了一个全面的GaN HEMT非线性动态开关输出电流模型。在时间‑频率域精度、时间步长精度、计算效率以及模型泛化能力等多项指标相对于传统模型存在明显优势。
天眼查资料显示，浙江摩珂达半导体有限公司，成立于2024年，位于嘉兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江摩珂达半导体有限公司财产线索方面有商标信息15条，专利信息3条。
来源：金融界
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