武汉新芯申请一种存储器件的制造方法及存储器件专利，有效降低控制栅极层所对应的控制栅极的电阻
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2025-05-23 13:34:59
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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“一种存储器件的制造方法及存储器件”的专利，公开号CN120035141A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种存储器件的制造方法及存储器件，方法包括：提供半导体基材，包括衬底和硬掩膜层；在半导体基材中开设多个第一凹槽，分布于存储区域和引出区域，其在衬底中的部分定义为基体凹槽；在基体凹槽中形成栅绝缘层和半浮栅，半浮栅的一部分与衬底接触，另一部分与衬底之间通过栅绝缘层隔离；在第一凹槽中形成栅间介质层和控制栅极层，以及在控制栅极层上形成连接改善层，其中，一部分控制栅极层作为存储单元的控制栅极，另一部分作为存储单元的引出端，引出端连接同一行的多个存储单元的控制栅极；即本申请中在控制栅极层上形成连接改善层，有效降低控制栅极层所对应的控制栅极的电阻，提高半浮栅阵列的操作速度，以提升存储器件性能。
天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目208次，财产线索方面有商标信息68条，专利信息1749条，此外企业还拥有行政许可105个。
来源：金融界
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