中芯国际申请半导体结构相关专利，可提高半导体结构的可靠性
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2025-05-23 20:09:18
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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体结构、半导体存储器及半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN120035142A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构、半导体存储器及半导体结构的制备方法。半导体结构包括由下至上依次层叠的衬底、绝缘层和控制栅层；控制栅层包括沿第一方向间隔设置的浮栅区和擦除栅区，浮栅区与擦除栅区之间填充有遂穿氧化层；第一方向为垂直于衬底的厚度方向的方向；浮栅区包括由下至上设置的浮栅和控制栅；浮栅与擦除栅区之间的遂穿氧化层的厚度大于绝缘层的对应浮栅的区域的厚度，使得擦除操作和写操作时的电子是通过不同的氧化层通道来实现的，且具有较小的擦除电压，进而可以提高半导体结构的可靠性。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息149条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。
来源：金融界
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