紫光半导体申请采用应力记忆技术的半导体器件制造相关专利，改善电子移动能力
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2025-05-24 09:09:21
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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“采用应力记忆技术的半导体器件制造方法及半导体器件”的专利，公开号CN120035197A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本公开涉及一种采用应力记忆技术的半导体器件制造方法及半导体器件，本制造方法包括取半导体衬底，在所述半导体衬底的正面上形成栅极结构；在所述栅极结构的侧面形成侧墙；在所述栅极结构的两侧分别形成源极/漏极区；进行光阻回刻蚀；进行应力记忆技术。通过先进行光阻回刻蚀操作，在其完成之后再进行应力记忆技术SMT操作，光阻回刻蚀能够将侧墙的厚度减小，可以改善电子移动能力，由此可以提高制造的半导体器件的电子迁移率。
天眼查资料显示，成都紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都紫光半导体科技有限公司专利信息23条。
来源：金融界
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