芯嵛半导体申请通过双靶盘进行离子注入工艺的方法专利，节省整个注入时间
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2025-05-24 16:09:10
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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，芯嵛半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种通过双靶盘进行离子注入工艺的方法”的专利，公开号CN120033069A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本发明公开一种通过双靶盘进行离子注入工艺的方法，属于半导体制造技术领域，其中扫描机器人的末端具有沿扫描方向并排设置的两个靶盘，其包括如下步骤：初始状态为扫描机器人上的两个靶盘均为平放且空载；然后两片晶圆被传输并分别放置在两个靶盘上；扫描机器人控制靶盘固持晶圆，然后进行翻转，使两个靶盘均竖起至工艺所需角度；对两个靶盘上的两个晶圆进行离子注入的扫描过程；完成工艺所需的离子注入后，扫描机器人回到初始状态的平放状态，等待其上的晶圆被取下。本发明节省了整个注入时间，可综合改善WPH约20％，并且对于晶格损伤会更低，晶圆温度会控制得更低；可以无需改变整个束流系统，工艺稳定、易于实施，具有极高的应用价值。
天眼查资料显示，芯嵛半导体（上海）有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本1578.9474万人民币。通过天眼查大数据分析，芯嵛半导体（上海）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息40条，专利信息45条，此外企业还拥有行政许可2个。
来源：金融界
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