长飞先进半导体申请半导体器件相关专利，降低反向导通压降
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2025-05-24 17:35:43
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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件、功率模块、功率转换电路、车辆及半导体器件的制备方法”的专利，公开号CN120035180A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件、功率模块、功率转换电路、车辆及半导体器件的制备方法，其中，半导体器件包括：半导体本体，包括阱区、第一区域、第二区域和隔离区域，第一区域位于第一表面，阱区位于第一区域远离第一表面的一侧；第二区域位于第一表面，并从第一表面延伸至半导体本体内；隔离区域设置于第二区域与第一区域之间；第一表面设置有栅极沟槽，栅极结构位于栅极沟槽内；续流结构，设置在第一表面远离第二区域的一侧，续流结构用于提供续流通道；源极，位于第一表面，与续流结构电性连接；漏极，位于第二表面。
天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目22次，专利信息62条，此外企业还拥有行政许可15个。
来源：金融界
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