长飞先进半导体申请半导体器件及相关制造方法等专利，可更快响应并控制电流流通_资源案例

长飞先进半导体申请半导体器件及相关制造方法等专利，可更快响应并控制电流流通

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2025-05-24 18:03:16

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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN120035174A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本发明实施例公开一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括：半导体本体，包括第一表面和第二表面；还包括阱区、第一区域和沟道层，第一区域和沟道层相互接触，且第一区域设置为第一导电类型且位于第一表面，沟道层设置为第一导电类型且位于第一表面，阱区设置为第二导电类型且位于第一区域和沟道层远离第一表面的一侧；栅极结构位于第一表面并覆盖至少部分沟道层；漏极位于第二表面；源极位于第一表面并覆盖至少部分第一区域。形成耗尽型半导体器件，常态下处于导通状态，截止状态需要给栅极和源极之间加负电压使沟道截止，可以更快的响应并控制电流流通，导通损耗较小，更适用于高频电路和开关电路。

天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目22次，专利信息62条，此外企业还拥有行政许可15个。

来源：金融界

制造方法显示先进半导体电流控制相关表面专利区域导电器件半导体沟道层沟道

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