金融界2025年5月24日消息,国家知识产权局信息显示,粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利,公开号CN120033145A,申请日期为2025年03月。
专利摘要显示,本申请涉及集成电路技术领域,特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括:提供衬底;于衬底上形成第一介质层,第一介质层内具有第一导电通孔;于第一导电通孔内形成第一导电层,第一介质层以及第一导电层具有第一翘曲类型,且第一介质层以及第一导电层具有第一翘曲度,第一翘曲度包括形成第一介质层以及第一导电层后的半导体结构的翘曲高度;基于第一翘曲类型以及第一翘曲度,形成覆盖第一介质层以及第一导电层的应力缓冲层,应力缓冲层具有第二翘曲类型,第二翘曲类型与第一翘曲类型相反,第一翘曲度与应力缓冲层的厚度呈正相关;于应力缓冲层上形成第二介质层与第二导电层,第二导电层连接第一导电层。
天眼查资料显示,粤芯半导体技术股份有限公司,成立于2017年,位于广州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本236559.1397万人民币。通过天眼查大数据分析,粤芯半导体技术股份有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目114次,财产线索方面有商标信息46条,专利信息997条,此外企业还拥有行政许可129个。
来源:金融界