物元半导体申请半导体结构制备方法专利，显著增强硅衬底边缘的抗应力能力
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2026-01-26 13:10:07
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国家知识产权局信息显示，物元半导体技术（青岛）有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN121398083A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明的半导体结构的制备方法首先提供硅衬底。然后在硅衬底上形成图形化掩模层，图形化掩模层包括位于硅衬底中间区域的第一图形和位于硅衬底边缘环形区域的第二图形，第二图形覆盖的所述环形区域的宽度大于5 mm。接下来以图形化掩模层为掩模对硅衬底进行刻蚀以形成深沟槽。随后去述图形化掩模层。接着于深沟槽中填充外延材料。最后对硅衬底进行表面平坦化处理，以去除硅衬底表面过量的外延材料。本发明的半导体结构的制备方法通过在硅衬底边缘宽度大于5 mm的环形区域形成图形化掩模层，避免了在刻蚀和外延填充过程中边缘区域的损伤。显著增强了硅衬底边缘的抗应力能力，防止在后续的化学机械抛光过程中发生裂片或产生暗伤，从而提高了硅衬底的整体完整性和可靠性。
天眼查资料显示，物元半导体技术（青岛）有限公司，成立于2022年，位于青岛市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本52199.9997万人民币。通过天眼查大数据分析，物元半导体技术（青岛）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，专利信息136条，此外企业还拥有行政许可12个。
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来源：市场资讯
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