艾迈斯-欧司朗申请光电器件和制造方法专利，电接触掩埋接触层
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2026-01-26 21:11:56
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国家知识产权局信息显示，艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司申请一项名为“光电器件和用于制造光电器件的方法”的专利，公开号CN121400095A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明涉及光电器件，其包括至少第一导电类型的第一层、第二导电类型的第二层和第一层与第二层之间的有源区的半导体层堆叠。第一层包括布置在半导体层堆叠的有源区与发光表面之间的掩埋接触层。半导体层堆叠包括：与发光表面相对的底表面；第一侧壁部分，其从底表面向发光表面的方向延伸，直至有源区与掩埋接触层之间的层面；第二侧壁部分，其从有源区与掩埋接触层之间的层面延伸，直至掩埋接触层；和与第一和第二侧壁部分不同的第三侧壁部分，其从掩埋接触层向发光表面的方向延伸。光电器件还包括：覆盖第一侧壁部分的至少部分的材料层；第一接触元件，其覆盖材料层和第二侧壁部分的至少部分，电接触掩埋接触层；和电接触底表面的第二接触元件。
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来源：市场资讯
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