真芯半导体取得半导体结构制造方法和DRAM形成方法专利
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2026-01-27 15:41:39
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国家知识产权局信息显示，真芯（北京）半导体有限责任公司取得一项名为“一种半导体结构的制造方法和DRAM的形成方法”的专利，授权公告号CN114613730B，申请日期为2020年12月。

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