新微半导体申请光电探测器及其制备方法专利,有效提升光电探测器的RC限制带宽
创始人
2026-01-27 17:58:38
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国家知识产权局信息显示,上海新微半导体有限公司申请一项名为“光电探测器及其制备方法”的专利,公开号CN121398236A,申请日期为2025年10月。

专利摘要显示,本发明提供一种光电探测器及其制备方法,通过设置自P电极接触层表面向内延伸至吸收层内部的微纳孔,以减少光电探测器的结体积,降低结电容,从而在不改变吸收层厚度的情况下有效提升光电探测器的RC限制带宽,保证光电探测器在保持高响应度的同时提升光响应速度;另外,光线入射进入微纳孔中时会产生衍射和光学共振现象,能有效提升光学耦合效率,从而达到高量子效率,进一步提高响应度。

天眼查资料显示,上海新微半导体有限公司,成立于2020年,位于上海市,是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析,上海新微半导体有限公司参与招投标项目843次,财产线索方面有商标信息5条,专利信息131条,此外企业还拥有行政许可83个。

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来源:市场资讯

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