长鑫科技申请成像系统及图像传感器制备方法专利，提升像素单元间的隔离效果_资源案例

长鑫科技申请成像系统及图像传感器制备方法专利，提升像素单元间的隔离效果

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2026-01-27 18:46:11

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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“成像系统、图像传感器及其制备方法”的专利，公开号CN121398169A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体领域，提供了一种成像系统、图像传感器及其制备方法，包括：包括：提供衬底，衬底的正面形成有初始隔离结构、有源区和多个像素单元，初始隔离结构位于所述有源区之间的所述衬底内；刻蚀初始隔离结构和部分衬底，以形成贯穿初始隔离结构的第一沟槽，并在第一沟槽内形成第一材料层；刻蚀部分第一材料层，以形成第二沟槽，第二沟槽贯穿初始隔离结构，剩余的第一材料层的顶面与初始隔离结构的底面齐平；在第二沟槽内填充形成垂直堆叠的氧化层和填充层，以形成第一隔离结构；减薄衬底的背面直至暴露出第一材料层的底面，去除第一材料层，以形成第三沟槽，填充第三沟槽，以形成第二隔离结构，第二隔离结构位于相邻像素单元之间。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1085次，财产线索方面有商标信息234条，专利信息642条，此外企业还拥有行政许可34个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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