国家知识产权局信息显示,福建慧芯激光科技有限公司申请一项名为“一种具有复合式本征区的长波长PIN光电二极管及其制备方法”的专利,公开号CN121419348A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本发明公开了一种具有复合式本征区的长波长PIN光电二极管及其制备方法,涉及半导体技术领域,所述长波长PIN光电二极管包括GaAs衬底、DBR层、变形生长层和吸收层;所述DBR层、变形生长层与吸收层共同构成复合式本征区;所述复合式本征区的光学功能通过所述DBR层对透射过所述吸收层的光进行反射,并与所述吸收层协同,以实现光程倍增;所述复合式本征区的电学功能通过所述DBR层与所述变形生长层共同形成宽阔的耗尽区,以降低结电容。本发明所提供的复合式本征区使得“扩展耗尽区”与“增强光吸收”这两个传统上矛盾的需求得以在不同物理层面分别优化并协同增效,从而在器件物理层面根本性解决了带宽与响应度的长期权衡难题。
天眼查资料显示,福建慧芯激光科技有限公司,成立于2019年,位于泉州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1477.2497万人民币。通过天眼查大数据分析,福建慧芯激光科技有限公司参与招投标项目8次,财产线索方面有商标信息10条,专利信息63条,此外企业还拥有行政许可9个。
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